الصفحة الرئيسية
معلومات عن المركز
نبذة عن المركز
الرسالة و الرؤية
الهيكل التنظيمي
مدراء المركز
حقائق وأرقام
نـشـــاط الـمـركــز
الـمــعــارض
مــعــارض الطـبـاعـة
مــعــارض الكـــتــــب
الــزيــــارات
الـتــدريـــب
ورش عــمــل
دورات تـدريـبـيــة
ملتقيات
الــتكــريــم
المجلات العلمية
الأعداد المطبوعة
التقديم لبحث جديد
مواقع مفضلة
التواصل معنا
اتصل بنا
إستفساراتكم
الأبحاث
الملفات
آخر الأخبار
عربي
English
عن الجامعة
القبول
الأكاديمية
البحث والإبتكار
الحياة الجامعية
الخدمات الإلكترونية
صفحة البحث
مركز النشر العلمي
تفاصيل الوثيقة
نوع الوثيقة
:
مقال في مجلة دورية
عنوان الوثيقة
:
MOSFET لمادة الجاليومارسنيد المستخدم لوصلت الـ( III-V )علاقة التيار بالجهد للمركبات
I-V Characteristics of III-V Compounds (GAAS) for MOSFET Devices
الموضوع
:
الفيزياء
لغة الوثيقة
:
الانجليزية
المستخلص
:
في هذا البحث تم اتباع طريقة بحثيةمبسطة لحص ونمذجة الأغشية الرقيقة المنتجة بواسطة أجهزة التفريغ وقد تم اختيار تقنية مبسطة جداً لفحص هذه الأغشية والتي عملت على شكل أغشية رقيقة فقط وأغشية على شكل دوائر إلكترونية. وهذه التقنية عبارة عن استخدام جهاز بيكوأميتر (HP4140) وملحقاته وكانت النتائج في غاية الأهمية من ناحية التطبيقات الإليكترونية سواء في مجال المكبرات أو مجال الدوائر المتكاملة.
ردمد
:
1012-1319
اسم الدورية
:
مجلة العلوم
المجلد
:
10
العدد
:
1
سنة النشر
:
1418 هـ
1998 م
عدد الصفحات
:
10
نوع المقالة
:
مقالة علمية
تاريخ الاضافة على الموقع
:
Sunday, October 11, 2009
الباحثون
اسم الباحث (عربي)
اسم الباحث (انجليزي)
نوع الباحث
المرتبة العلمية
البريد الالكتروني
سعيد سعد الامير
S. S. AL-AMEER
باحث
فهد مسعود المرزوقي
F. ALMARZOUKI
باحث
الملفات
اسم الملف
النوع
الوصف
22561.pdf
pdf
الرجوع إلى صفحة الأبحاث